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Samsung lanza innovadora memoria para IA

Redacción by Redacción
4 agosto, 2026
in Negocios
Reading Time: 2 mins read
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Samsung Electronics presenta nueva tecnología de memoria para IA de última generación
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Samsung Electronics ha dado un paso significativo en la carrera por liderar el mercado de la inteligencia artificial, al presentar en la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) en Santa Clara, California, su revolucionario prototipo V10 Bonding V-NAND (BV-NAND). Este nuevo chip de memoria, que sobresale por su impresionante arquitectura de más de 400 capas, no solo promete aumentar la densidad de almacenamiento, sino también mejorar el rendimiento en un sector donde la demanda se encuentra en constante crecimiento.

Durante el segundo trimestre de 2026, Samsung reportó un asombroso aumento del 1,813.8% en su beneficio operativo, un indicador claro del auge que experimenta la inteligencia artificial. Este crecimiento está ligado a la expansión de las cargas de trabajo asociadas a la IA, que han ido más allá del entrenamiento de grandes modelos de lenguaje y ahora abarcan procesos más complejos como la generación de respuestas en tiempo real a consultas de usuarios.

El BV-NAND de Samsung es un desarrollo que mejora la densidad de la memoria en un 58% en comparación con su predecesor, el V9 NAND. Además, su arquitectura permite una avanzada gestión de la lectura, escritura y el rendimiento de entrada/salida, un aspecto crucial para satisfacer las exigencias de los sistemas de IA que requieren un almacenamiento no solo abundante, sino también optimizado en términos de consumo energético.

Samsung también introdujo innovaciones adicionales, como sus modelos conceptuales de las arquitecturas zHBM y zNAND-O, que representan una incursión audaz en la memoria 3D de próxima generación. A diferencia de la memoria convencional de gran ancho de banda, la zHBM apila las celdas de memoria verticalmente, reduciendo la velocidad que recorren los datos y, a su vez, elevando el ancho de banda y la eficiencia energética. Esta tecnología de unión de obleas podría permitir que la densidad de memoria supere hasta diez veces la de la memoria HBM5 convencional, triplicando la eficiencia energética y significativamente disminuyendo la resistencia térmica.

A pesar de las preocupaciones manifestadas por algunos inversionistas sobre la durabilidad de la demanda de chips de memoria, sobre todo ante un posible debilitamiento del mercado chino de smartphones, analistas subrayan una robusta demanda en el sector de la inteligencia artificial. De hecho, se reveló que los acuerdos a largo plazo con los clientes podrían representar entre el 60% y el 70% de las ventas de memoria de la empresa. Según analistas de Citi, las existencias en las cadenas de suministro de DRAM y NAND se mantienen muy por debajo de los niveles históricos, lo que sugiere un panorama heterogéneo en la demanda del mercado.

A medida que el mundo avanza hacia una nueva era de interactividad y respuesta rápida en el ámbito digital, las innovaciones que Samsung introduce no solo amplían su portafolio, sino que también delinean el futuro del almacenamiento en un entorno donde la inteligencia artificial se vuelve cada vez más omnipresente.

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Tags: Columna DigitalelectronicsIAmemorianuevapresentaSamsungSamsung ElectronicsTecnologíaÚltima generación
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